from 300 ppm to 1000 ppm it assumes a value of 260 Hz/ppm. The range from 
1000 ppm to 5000 ppm is 115 Hz/ppm. 

 

CONCLUSION 

The analysis of physical processes on the surface of semiconductor gas sensors 

has shown that in the formation of the subsurface layer of spatial charge there are 
excessive mobile charge carriers - electrons and holes, so the specific surface resistance 
is determined by their concentration, multiplied by the corresponding motility and 
elementary charge. On the other hand, the change of the charge in the layer of spatial 
charge at the change of the surface electrostatic potential is characterized by the 
introduction of the concept of differential capacity of the layer of spatial charge. Thus, 
the total resistance of semiconductor gas sensors consists of a parallel connection of 
the capacity of the surface layer of the spatial charge and near-surface resistance. 

Change of total resistance of semiconductor gas transducers with frequency 

output signal from change of concentration of measured gases characterizes gas 
reactive effect of transducers, unequivocally changes output frequency of 
autogenerator gas transducers. The transformation functions and the sensitivity 
equation of the device were determined, with a sensitivity of 260 Hz/ppm in the range 
of 300 ppm to 1000 ppm, and in the range of 1000 ppm to 5000 ppm – 115 Hz/ppm. 
 

BIBLIOGRAPHICAL REFERENCES

 

1.

 

Microelectronic sensors of physical quantities. Edited Z.Yu. Hotra. In 3 

volumes. Lvov: League-Press, 2003. Vol.2. –595 p. 

2.

 

P.V. Novitsky, V.G. Knoring, V.S. Gutnikov. Digital devices with frequency 

sensors. Leningrad: Energy, 1970. –424 p. 

3.

 

Kwang-Jow Gan, Dong-Shong Liang, Chung-Chih Hsiao, Cher-Shiung Tsai 

and Yaw-Hwang Chen. Investigation of MOS-NDR Voltage Controlled Ring 
Oscillator Fabricated by CMOS Process. 2005 IEEE Conference on Electron Devices 
and Solid-State Circuits, 2005. pp. 825-827. DOI: 10.1109/EDSSC.2005.1635405 

4.

 

Kwang-Jow Gan, Kuan-Yu Chun, Wen-Kuan Yeh. Design of Dynamic 

Frequency Divider using Negative Differential Resistance Circuit. International 
Journal on Recent and Innovation Trends in Computing and Communication. 2015. 
Volume: 3 Issue: 8. pp.5224-5228. 

5.

 

J. Núñez, M. J. Avedillo, J. M. Quintana. Bifurcation diagrams in MOS-NDR 

frequency divider circuits. 2012 19th IEEE International Conference on Electronics, 
Circuits, and Systems (ICECS 2012), Seville, 2012. pp. 480-483. DOI: 
10.1109/ICECS.2012. 6463558 

6.

 

D. S. Liang, K. J. Gan, K. Y. Chun. Frequency divider design using the Λ-

type negative-differential-resistance circuit. 2010 53rd IEEE International Midwest 

- 498 -